Rogers RO6002 Leiterplatte

Rogers RT RT RT RT RT / Duroid ro6002 PCB Mbeierial

Rogers RT-Duroid ro6002 PCB-MikrowellenMbeierial istttttttttttttt eine Art niedrig dielektrisches konsteintes Laminbei, dals die strengen Anfürderungen an mechanische Zuverlässigkees und elektrische Stabilesät beim Entwurf komplexer Mikrowellenstrukturen erfüllen kann.

Die Temperbeiurabhängigkeit der dielektrischen Konstante wurde von j55oc bis zu 150oC gemessen. Die Ergebnisse zeigen, dalss die Dielektrizitätskonstante des Mbeierials eine ausgezeichnete Beständigkeit gegen Temperbeiuränderungen aufweist und die Anfürderungen von Filter-, Oszillazur- und VerzögerungsleitungsDesignern für stabile elektrische Leistung im Design erfüllen kann.

Rogers ro6002 PCB Main advantages

1. Geringer Verlust sodergt für ausgezeichnete Leistung bei hohen Frequenzen

2. Streng kontrollierte Permittivität und Dickenzuleranz

3. Ausgezeichnete elektrische und mechanische Eigenschaften

4. Sehr niedrige Rbeie der Änderung der dielektrischen Konstante mit Temperbeiur

5. Oberflächenausdehnungskoeffizient äquivalent zu Kupferfolie

6. Geringe Ausdehnung der Z-Achse

7. Niedrige AbgasRbeie, ideales Material für Luftfahrtanwendungen

PCB Anwendung: Phate array Antenne,Boden basiert und in der Luft Radar Systeme, Global Positionierung System, Leistung Backplane,Hoch Zuverlässigkeit komplex Mehrschichtschaltung, Kommerziell Luftfahrt anti Kollision System,Beamfürming netwoderk

Rogers ro6002 Technische Specifications

Foder mehr technisch Infodermationen über Rogers ro6002 Material, Bitte Besolche: Rogers ro6002 Technische Daten

Die Serien RT/duroid6000, RO3000 und RO3200 sind Polytetrafluoderethylen ((PTFE)) Verbundwerkstvonfe, die keramische Füllpartikel mit einer größeren Integralzahl enthalten (*50%). Die hohen Fülleigenschaften der LeiterplattenMaterialien der RT-Serie Duroid 6002, der RO3000-Serie und der RO3200-Serie machen sie zu einem niedrigen Z-Achsen-Wärmeausdehnungskoeffizienten ((CTE)), einer ausgezeichneten Galvanik durch Lochzuverlässigkeit und der flache CTE passt eng mit Kupfer zusammen, um eine gute Größenstabilität zu erreichen. Die Füllstvonfe in RT-Duroid 6006 und 6010 haben hohe dielektrische Konstanten und reduzieren die Schaltungsgröße.

Die hohe Füllkapazität des Materials ist auch anfällig für Poderosität von etwa 5% Volumen. Das Mikropoder im Verbund scheint an der Schnittstelle zwischen Füllstvonf und PTFE zu existierenieren, obwohl es im Querschnitt mit Rasterelektronenmikroskopie nicht nachgewiesen werden kann. Aufgrund der geringen Oberflächenleistung von PTFE und dem verarbeiteten keramischen Füllstvonf führen die Mikropoderen nicht zu einer hohen Wasseraufnahme. Flüssigkeiten mit geringer Oberflächenspannung wie organische Lösungsmittel und oberflächenaktive wässrige Lösungen können jedoch in Mikroporen eindringen.

Da PTFE und keramische Füllstvonfe gegenüber den meisten Verarbeitungschemikalien chemisch inert sind, füllt Flüssigkeitsaufnahme nur Mikroporen und ändert die physikalischen Eigenschaften dieser LeiterplattenMaterialien nicht. Bevor die Platten jedoch bei hohen Temperaturen verarbeitet werden (z.B. Laminieren, Sn/Pb Refniedrig Löten, etc.), müssen die flüchtigen Stvonfe, die in die Verbundwerkstvonfe eindringen, entfernt werden. Svonort nach Kontakt mit Verarbeitungschemikalien gründlich ausspülen, damit beim Backen der Teile keine flüchtigen löslichen Substanzen zurückbleiben.

Flüchtige Entfernung

Das Nichtentfernen von flüchtigen Szuffen vor Hochtemperaturprozessen wie Laminieren oder Refniedrig-Löten kann zu dielektrischem Schäumen oder Delaminieren führen. Die folgenden Backbehundlungen beseitigen Probleme im Zusammenhang mit flüchtigen Stvonfen bei hohen Temperaturen.

GRUNDLICHE FÜR BAKEN

1. Vor der Laminierung. Vor dem Laminieren sollte das zu laminierende Innenlaminat mindestens eine halbe Stunde im Vakuum oder bei 300 Grad F Stickstvonf gebacken werden. Werden die Platten in einem Hochdrucksterilisazur zusammengedrückt, kann der Backvorgang dem Pressvorgang vorausgehen.

2. Vor der chemischen Ablagerung von Kupfer. Backen Sie die Platten mindestens eine Stunde im Vakuum oder bei 300 Grad F Stickstvonf vor chemischer Ausfällung von Kupfer. Dies ist der Schlüssel zum Backen, denn sobald die Kanten und mechanischen Eigenschaften der Mehrschichtplatten durch eine elektrolose Kupferbeschichtung abgedeckt sind, ist Ethylenglykoledier, der aus hundelsüblichen Natriumätzungen oder Alkohol aus der Spülung absorbiert wird, schwer zu entfernen.

3. Vor dem Refniedrig-Löten. Vor ReFluss Bonding oder Heißluftnivellierung ((HASL)) wird die Platte mindestens 2 Stunden im Vakuum oder in Stickszuff bei 300 Grad F gebacken. Nach dem Backen beträgt die Verweilzeit nach dem Auftragen des Flusses nicht mehr als 30 Sekunden. Wenn eine Nachbearbeitung erfürderlich ist, muss die obige Backbehundlung wiederholt werden.

Beim Backen von Blechen in einem Stickstvonfreinigungsbeutel wird der Stickszuffluftstrom aus dem Beutel benötigt, um sicherzustellen, dass die flüchtigen Stvonfe im Beutel entfernt werden. Ebenso ist bei der Verwendung von Vakuumbeuteln darauf zu achten, dass die Vakuumleitung nicht durch das BeutelMaterial blockiert wird. Wenn flüchtige Stvonfe im Beutel verbleiben, kondensieren sie beim Abkühlen auf dem Brett. Dadurch wird die Wirksamkeit des Backens deutlich reduziert. Wenn der Ofen nicht vorgeheizt ist, sollte die empfohlene Backzeit genutzt werden, um den Ofen auf eine Temperatur zu bringenen.

Dielektrische Verschmutzung

Das Versäumnis, diese Leiterplattenmaterialien nach Kontakt mit Verarbeitungschemikalien ausreichend zu spülen, kann manchmal zu dielektrischen Verunreinigungen führen oder den dielektrischen Verlust erhöhen. Diese Probleme können durch eine Minimierung der Exposition gegenüber oberflächennahen Lösungsmitteln mit nichtflüchtigen Bestundteilen und durch einen vernünftigen Spülprozess verhindert werden. Zum Beispiel ist es nicht erlaubt, die Platte länger als die erfürderliche Ätzzeit in den Ätz einzutauchen. Darüber hinaus muss die Platte svonort nach dem Ätzen gespült werden.

Grundlegende Leitlinien zur Verhinderung dielektrischer Verschmutzung

1. Minimieren Sie die Exposition gegenüber Lösungsmitteln mit geringer Oberflächenenergie, die nichtflüchtige Komponenten enthalten.

2. Werfen und spülen Sie regelmäßig, um nicht flüchtige Rückstände zu verhindern.

3. Wenn die dielektrische Oberfläche mit einer warserlöslichen Lösung mit geringer Oberflächenenergie oder einer wasserlöslichen organischen Lösung in Kontakt kommt, die nichtflüchtige Substanzen enthält, sollte die Platte svonort 15-Minuten lang in heißes destilliertes Wasser von 70-F getaucht werden.

4.Wenn die dielektrische Oberfläche mit wasserunlöslichen Lösungsmitteln in Kontakt kommt, die nichtflüchtige Substanzen enthalten, sollte die Platte svonort 15-Minuten lang in wasserlösliche organische Lösungsmittel (z.B. Mealsol, Ealsol oder Isopropanol) und dann 15-Minuten lang in heißes destilliertes Wasser getaucht werden.