低温共焼成セラミックPCB（LTCC PCB）

LTCCセラミック基板技術は，新しいセラミック材料とマイクロ波厚膜集積技術を用いた複雑なマイクロ波・ディジタル回路の三次元集積化技術である。モノリシック集積技術の急速な発展に伴い，能動素子の集積化はますます高くなり，前例のないレベルに達し，受動素子の集積化が非常に重要となる。LTCC技術は、抵抗器、コンデンサ、インダクタ、フィルタ、カプラなどの受動素子の集積要件を満たすことができる。

LTCC基板の抵抗は、それぞれ10×100、1 Km、1 k、10 kΩである。表面抵抗調整法の精度は1 %以下であり，内部埋込抵抗精度は30 %以下である。他の受動デバイスは、関連する材料パラメータに従って設計することができる。LTCC基板は、40層までの多層配線であり得る。

Low Temperature Co-fired Ceramic PCB(LTCC PCB)

近年、セラミック基板技術は急速に発展してきており、特に従来のセラミック基板をベースにして、高温共焼成セラミック基板と低温 同時 焼成 セラミックス基板が開発されており、高パワー回路の高密度実装においてセラミック基板をより深くより広く応用することができる。低温 同時 焼成 セラミックス多層基板は，厚膜プロセスと高温同時焼成の利点を集中させた新しいマイクロアセンブリ基板である。このような基板は急速に発展してきた。高密度，高速回路基板として，コンピュータ，通信，ミサイル，ロケット，レーダなどで広く使用されている。例えば、米国のデュポン社はスティンガーミサイルのテスト回路に8層の低温共焼成多層基板を使用している。日本の富士通は低温共焼成セラミック基板の61層を用いてVP 2000シリーズスーパーコンピュータのマルチチップモジュールを作製し，NEC社は225×225平方mmの低温共焼成多層基板78層を作製した。それは11540のI / Oターミナルを含んで、最高100のVLSIチップをインストールすることができます。

低温共焼成多層セラミック基板は、多くの単一セラミック基板である。各セラミック基板は、セラミック材料の層と、セラミック層に取り付けられた導電回路とからなり、通常は伝導帯と呼ばれる。セラミック層のスルーホールには導電性材料が充填されている。異なるセラミック層の伝導帯を接続して3次元回路網を形成する。icチップは多層セラミックの最上層に設置されている。集積ブロックは、多層セラミック基板内の回路にピンを介して溶接されて配線回路を構成する。基板表面の金属導電層は、セラミック基板の焼結工程中に予め形成され、基板下部に針状の端子が形成されている。このように、共焼成多層セラミック基板を用いて、高密度、高速、高信頼性を有する3次元構造を形成するためのマイクロ部品を組み立てることができる。

 LTCC セラミック PCB のPCB構造

他より PCB技術, LTCC PCB 多くの利点がある

1）セラミック材料は，高周波，高速伝送，広い通過帯域の優れた特性を有する。LTCC材料の誘電率は、異なる成分によって広い範囲で変化することができる。導電性材料として導電率の高い金属材料を用いることにより、回路系の品質因子を改善し、回路設計の柔軟性を高めることができる

2）高電流・耐熱性の要求に適応でき，通常のpcb回路基板よりも熱伝導性が良い。電子機器の放熱設計を高信頼化し，過酷な環境に適用でき，耐用年数を延長できる

3）多数の層を有する回路基板を製造することができ、複数の受動部品を埋め込むことができ、これにより実装部品のコストを回避することができる。高い層を有する3次元回路基板では、回路の組立密度を向上させ、さらに体積および重量を低減するために受動的で能動的な集積を実現することができる

4）例えば、LTCCと薄膜配線技術の組み合わせは、より高いアセンブリ密度を達成し、ハイブリッド多層基板およびハイブリッドマルチチップモジュールのより良い性能を達成することができる

5）完成品製造前の配線・配線孔の各層の品質検査には不連続な製造工程があり、多層基板の歩留まりや品質の向上、生産サイクルの短縮、低コスト化が図られている。

6）省エネ・環境・環境保全は、コンポーネント産業の発展において、抵抗できない傾向となっている。LTCCはまた、この開発要求に応え、原料、廃棄物、生産プロセスによって引き起こされる環境汚染を最大に減少させる。