精密PCB製造、高周波PCB、高速PCB、標準PCB、多層PCB、およびPCBアセンブリ。
将来の発展戦略における中国覆銅板工業の重点任務, 製品に関して, 新しい仕事をする PCB基板材料, 新しい基板材料の開発と技術進歩, 中国旋風CKL最先端技術が推進. 以下に記載されている新しい高性能CCL製品の開発は、中国の銅クラッドラミネート産業のエンジニアと技術者が将来の研究開発に注意を払う重要な話題である.
鉛フリー銅張積層板
欧州連合（EU）の10月11日の会合で、環境保護内容に関する2つの「ヨーロッパ指令」が通過されました。2006年7月1日に正式に決議を実施する。つの“ヨーロッパディレクティブ”は“電気電子製品廃棄物指令”（WEEEと呼ばれる）と“特定の危険物質の使用の制限”を参照してください（RoHSと呼ばれる）。これら2つの法定の指令では、要件が明確に記載されています。鉛含有材料の使用は禁止されている。したがって、これらの2つの指示に応じる最善の方法は、できるだけ早く鉛フリー銅クラッド積層体を開発することである。
高性能銅張積層板
ここでいう高性能銅被覆積層板とは、低誘電率（Dk）銅被覆積層板を含む, 高周波用銅張積層板高速PCB,高耐熱銅張積層板, 及び各種基材（樹脂被覆銅箔, 積層型PCB基板の絶縁層を構成する有機樹脂膜, ガラス繊維強化その他の有機繊維強化プリプレグ, など.).今後数年間（2010年まで）, このタイプの高性能銅張積層板の開発において, 電子機器実装技術の将来予測によると, 対応するパフォーマンスインデックス値は.
ICパッケージキャリア用基板材料
ICパッケージ基板（ICパッケージ基板としても知られる）のための基板材料の開発は、現在非常に重要なトピックである。また、中国のICパッケージとマイクロエレクトロニクス技術を開発することは、緊急の必要でもあります。高周波・低消費電力化に向けたicパッケージの開発に伴い，icパッケージ基板は低誘電率，低誘電損失率，高い熱伝導率などの重要な特性で改善される。今後の研究開発の重要課題は，基板熱接続技術放熱の有効な熱的調整と集積化である。
icパッケージ設計の自由度と新しいic実装技術の開発を確保するためには，モデル試験とシミュレーション試験を行うことが不可欠である。これらの2つのタスクは、ICパッケージのための基板材料の特性要件を習得するために非常に有意義であり、すなわち、その電気的性能、熱および放熱性の性能、信頼性および他の要件を理解し、マスタリングする。さらに、それはさらにコンセントに達するためにICパッケージ設計産業と通信するべきです。開発された基板材料の性能は、完全な電子製品の設計者に提供され、設計者は正確で高度なデータ基盤を確立することができる。
ICパッケージキャリアは、半導体チップとの熱膨張係数の不一致の問題を解決する必要がある. たとえAであっても多層PCB微細回路製造に適した板, 絶縁基板の熱膨張係数が通常過大であるという問題がある (ありふれた,熱膨張率は60 ppmである/°C). 基板の熱膨張係数は約6 ppm, 半導体チップのそれに近い, 実際には、基板の製造技術にとって「困難な挑戦」である.
高速化に適応するためには，基板の誘電率は2.0に達し，誘電損失因子は0.001に近い。このため，従来の基板材料と従来の製造工程の境界を凌ぐ新しい世代のプリント基板が2005年頃に世界に出現すると予測されている。技術のブレークスルーは、まず最初に、新しい基板材料の使用におけるブレークスルーです。
