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IC基板

4層DDR基板

IC基板

4層DDR基板

4層DDR基板

產品名稱:4層DDR基板

資料:三菱氣體化工HL832

層數:4L

厚度:0.25mm

銅厚度:0.5oz

顏色:綠色(AUS308)

表面處理:軟金

最小孔徑:100um

最小線距:75um

最小線寬:50um

用途:IC基板

產品詳情 數據資料

DDR包載體的特點

高密度結結構

填孔電鍍及堆孔結構

各種表面處理方法

板材和表面平整度要求

樹脂填充

DDR包載體應用流程

半添加法,雷射鑽孔,

DDR封裝載體的應用

智能手機、電腦、物聯網產品、資訊電子產品

資料的典型特性

DDR記憶體的全稱是DDR SDRAM(雙資料速率SDRAM)。 DDR SDRAM於1996年由3星首次提出。 它是由八家公司協商製定的記憶體規格,其中包括NEC、3菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、3星和現代,並已獲得AMD、VIA和SiS的獎項。 晶片組製造商的支持。 它是SDRAM的升級版本,囙此也稱為“SDRAM II”。


DDR是21世紀初的主流記憶體規範,主要晶片組製造商的所有主流產品都支持DDR。 DDR的全稱是DDR SDRAM(雙資料速率SDRAM,雙資料速率SDRAM)。 DDR的標稱頻率與SDRAM的標稱頻率相同。 截至2017年,DDR工作頻率主要為100MHz、133MHz和166MHz。 由於DDR記憶體具有雙速率資料傳輸的特點,在識別DDR記憶體時採用了工作頻率*2的方法,即DDR200、DDR266、DDR333和DDR400,一些記憶體製造商也推出了更高頻率的DDR記憶體,以滿足愛好者的需要。 最重要的變化是介面資料傳輸。 它可以對時鐘訊號的上升沿和下降沿進行資料處理,使資料傳輸速率達到SDR(單資料速率)SDRAM的兩倍。 至於定址和控制訊號,它們與SDRAM相同,僅在時鐘上升沿傳輸。


與SDRAM模塊相比,DDR SDRAM模塊採用184針4-6層印刷電路板,電力介面由“LVTTL”改為“SSTL2”。 它與其他組件或套裝軟體中的SDRAM模塊相同。 DDR SDRAM模塊共有184個引脚,僅缺少一個插槽,這與SDRAM模塊不相容。 DDR SDRAM在命名原則方面也不同於SDRAM。 SDRAM根據時鐘頻率命名,如PC100和PC133。 DDR SDRAM以資料傳輸量為命名原則,如PC1600和PC2100,組織為MB/s。囙此,DDR SDRAM中的DDR200實際上與PC1600的規格相同,資料傳輸量為1600MB/s(64比特*100MHz*2÷8=1600MBytes/s),DDR266和PC2100相同(64比特*133MHz*2÷8=2128MB/s)。


DDR SDRAM是基於訊號延遲時間(CL;CAS延遲,CL是指接收到訊號後讀取前的系統時鐘週期數。一般來說,越短越好,但這也取決於記憶體粒子的原始設定值,否則會導致系統不穩定)也不同。 根據聯合電子工程設計與開發協會(JEDEC)的定義(規格編號為JESD79):DDR SDRAM有兩個CAS延遲,分為2ns和2.5ns(ns是十億分之一秒)。 較快的CL=2+PC 2100規格DDR SDRAM稱為DDR 266A,較慢的CL=2.5+PC 2100規格DDR SDRAM稱為DDR 266B。 此外,速度較慢的PC1600 DDR SDRAM在這方面沒有特殊編號。

產品名稱:4層DDR基板

資料:三菱氣體化工HL832

層數:4L

厚度:0.25mm

銅厚度:0.5oz

顏色:綠色(AUS308)

表面處理:軟金

最小孔徑:100um

最小線距:75um

最小線寬:50um

用途:IC基板


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