точная сборка PCB, высокочастотная PCB, высокоскоростная PCB, стандартная PCB, многослойная PCB и PCBA.
Самая надежная фабрика по обслуживанию печатных плат и печатных плат.
Технология PCBA
​ опасность электростатического разряда для обработки PCBA
Технология PCBA
​ опасность электростатического разряда для обработки PCBA

​ опасность электростатического разряда для обработки PCBA

2021-11-03
View:192
Author:Downs

часто возникает трение. PCBA products are inevitably exposed to external or self-contact friction and form a high surface potential during the production, упаковка и транспортировка, and processing, Отладка, and testing of the assembled machine. если оператор не принимает меры по электростатической защите, электростатический потенциал тела может достигать 1.5 ~ 3kv. поэтому, независимо от трения и статического электричества человека, Он повредит электростатическое чувствительное электронное оборудование. по электромеханическому и разрядному эффекту, его статическое поражение подразделяется на два вида, Это пробой чувствительного элемента, вызванного адсорбцией пыли и электростатическим разрядом из - за статического электричества.

трение и человеческая заряжание часто происходят обработка PCBA. PCBA products are inevitably exposed to external or self-contact friction and form a high surface during the production, упаковка и транспортировка, and processing, Отладка, and testing of the assembled machine. потенциал. If the operator does not take electrostatic protection measures, the electrostatic potential of the human body can be as high as 1.5~3kV. Therefore, regardless of friction electrification or human body static electricity, Он повредит электростатическое чувствительное электронное оборудование. According to the mechanics and discharge effect of static electricity, its electrostatic damage is roughly divided into two categories, which are the adsorption of dust caused by static electricity and the breakdown of sensitive components caused by electrostatic discharge.

pcb board

электростатическая адсорбция:

диоксид кремния и высокомолекулярные материалы широко применяются при изготовлении полупроводниковых и полупроводниковых приборов. из - за высокой изолированности, they tend to accumulate high static electricity during the production process, и легко поглощать заряженные частицы в воздухе, resulting in semiconductor interface breakdown, сделать недействительным. In order to prevent hazards, производство полупроводниковых и полупроводниковых приборов должно производиться в чистой камере. одновременно, anti-static measures should be taken on the walls, плафон, floors, оператор, and all tools and appliances of the clean room.

электростатический пробой и мягкий пробой:

сверхкрупные интегральные схемы с высокой степенью интеграции и высоким входным сопротивлением становятся все более разрушительными при помощи статического электричества. в частности, приборы МОП имеют более высокую вероятность электростатического пробоя.

в качестве примера можно привести полевой транзистор MOS (MOSFET): алюминиевая решетка на МОП - транзисторах покрыта пленкой Siо2 и покрыта всем каналом. из - за хороших изоляционных свойств пленки из окиси кремния входной импеданс устройства до 1012, если он не выключен © или выше. когда статический заряд появляется на алюминиевой сетке, высокое сопротивление мембраны Sio2 делает ее невозможной утечку, и поэтому она накапливается на алюминиевой сетке. при этом алюминиевые сетки, мембраны SiO2 и полупроводниковые каналы эквивалентны пластинчатому конденсатору, толщина пленки SiO2 составляет лишь 103A, ее выносливое напряжение составляет всего 80 - 100V, а входная емкость полевых труб - только 3pF, даже если речь идет о небольшом количестве зарядов. когда напряжение превышает 100 в, возникает разрыв мембраны SiO2, что приводит к подсоединению траншеи сетки и повреждению оборудования. когда происходит пробой напряжения, при определённом перенапряжении происходит, как правило, щелчок сети на различных точках мембраны SiO2. После этого, как только напряжение будет низким, произойдёт крупномасштабный лавинный пробой, что приведет к постоянным неполадкам. Иногда высоковольтное статическое электричество напрямую повреждает внутреннюю проводку чипа, что приводит к постоянной потере IC.

ущерб, причиненный электростатическим разрядом чувствительным устройствам, в основном выражается в следующем:

серьезный отказ. Cause the failure and damage of the entire device at one time.

мягкое разрушение. Это приводит к частичному повреждению оборудования, снижает технические характеристики оборудования, оставляет незащищенные от обнаружения опасности, что делает оборудование не в состоянии нормально работать. мягкий пробой иногда создает более опасную опасность, чем жесткий пробой. на начальной стадии мягкого пробоя свойства прибора несколько снизились. в процессе эксплуатации, со временем, он может быть преобразован в постоянные неполадки компонентов и причинить ущерб оборудованию.

механизм неисправности оборудования из - за статического электричества в основном состоит из двух причин:, диэлектрический пробой, поверхность PCB breakdown and gas arc discharge; the damage caused by electrostatic power, в основном тепловой вторичной пробой, объемное разложение и металлическое впрыск расплавление.

In production, people often refer to electronic devices that are sensitive to electrostatic reactions as Static Sensitive Devices (SSD). This type of electronic devices mainly refers to very large-scale integrated circuits, especially metal oxide film semiconductor (MOS) devices