PCB sirkuit mikrogelombang

Sirkuit gelombang mikro adalah sirkuit yang berfungsi dalam band gelombang mikro dan gelombang milimeter, dan dipasang pada substrat oleh komponen pasif gelombang mikro, komponen aktif, garis trasmis dan sambungan, dan mempunyai fungsi tertentu.

Sirkuit mikrogelombang dibahagi menjadi sirkuit mikrogelombang hibrid dan sirkuit mikrogelombang monolitik. Sirkuit mikrogelombang hibrid adalah blok fungsi yang menggunakan teknologi filem tipis atau tebal untuk menghasilkan sirkuit mikrogelombang pasif pada substrat yang sesuai untuk menghantar isyarat mikrogelombang. Sirkuit ini dirancang dan dihasilkan mengikut keperluan sistem. Sirkuit mikrogelombang hibrid yang biasa digunakan mengandungi berbeza sirkuit mikrogelombang jalur lebar seperti pengcampuran microstrip, penyampai bunyi rendah mikrogelombang, penyampai kuasa, penyampai frekuensi, dan unit tatasusunan bertindak. Sirkuit mikrogelombang monolitik adalah blok fungsi yang menggunakan teknologi planar untuk menghasilkan secara langsung komponen, garis penghantaran, dan saling sambung garis pada substrat semikonduktor. Arsenid gallium adalah bahan substrat yang paling biasa digunakan. Sirkuit mikrogelombang bermula pada tahun 1950-an. Satu sebab penting mengapa teknologi sirkuit mikrogelombang terdiri dari garis koaksial, komponen panduan gelombang dan sistem mereka berubah menjadi sirkuit planar adalah pembangunan peranti mikrogelombang keadaan tegas. Pada tahun 1960-an dan 1970-an, substrat alumina dan teknologi filem tebal digunakan; sirkuit integrasi monolitik bermula tersedia pada tahun 1980-an.

Sirkuit mikrogelombang hibrid menggunakan teknologi filem tebal atau teknologi filem tipis untuk menghasilkan sirkuit fungsional mikrogelombang berbilang pada medium yang sesuai untuk menghantar isyarat mikrogelombang, dan kemudian memasang komponen aktif diskret dalam kedudukan yang sesuai untuk membentuk sirkuit mikrogelombang. Medium yang digunakan dalam sirkuit mikrogelombang termasuk porselen alumina tinggi, safir, kuarz, keramik nilai tinggi dan medium organik. Terdapat dua jenis sirkuit: sirkuit microstrip parameter yang disebarkan dan sirkuit parameter lumped. Peranti aktif menggunakan peranti mikrogelombang berkemas, atau menggunakan cip secara langsung. Ciri-ciri utama sirkuit mikrogelombang ialah mereka dirancang dan dibuat mengikut keperluan mesin mikrogelombang lengkap dan pembahagian band mikrogelombang. Kebanyakan sirkuit terpasang yang digunakan adalah dedikasi. Biasanya digunakan adalah pengcampuran microstrip, penyampai bunyi rendah microwave, penyampai kuasa mikrowave terintegrasi, oscilator mikrowave terintegrasi, penyampai frekuensi terintegrasi, penyunting microstrip, unit array fasa terintegrasi dan berbilang sirkuit jalur lebar.

Sirkuit mikrogelombang monolitik adalah sirkuit terintegrasi di mana sirkuit fungsional mikrogelombang diproduksi pada cip yang dibuat dari bahan arsenid galium atau bahan setengah konduktor lain dengan proses setengah konduktor. Sirkuit mikrogelombang yang dibuat dari bahan silikon berfungsi dalam band frekuensi 300-3000 GHz, yang boleh dianggap sebagai sambungan sirkuit integrasi linear silikon dan tidak termasuk dalam sirkuit mikrogelombang monolitik.

Proses penghasilan sirkuit mikrogelombang monolitik GaAs adalah untuk menggunakan pertumbuhan epitaksi atau implantasi ion silikon untuk membentuk lapisan aktif pada wafer tunggal GaAs yang semi-isolasi; implan oksigen atau proton untuk menghasilkan lapisan pengasingan (atau ion lain yang sesuai untuk menghasilkan lapisan pengasingan); Injek beryllium atau zinc untuk membentuk sambungan PN; membuat penghalang setengah konduktor logam dengan peniup cahaya elektron; membuat peranti aktif (seperti dioda, transistor kesan-medan) dan tiada komponen Sumber (induktor, kondensator, resistor dan pasang komponen microstrip, penapis, muatan, dll.) dan corak sirkuit. Rancangan litar juga dibahagi kepada dua bentuk: parameter lumped dan parameter distribusi. Parameter terkirim terutama digunakan dalam sirkuit kuasa dan sirkuit gelombang milimeter. Sirkuit gelombang milimeter rujuk kepada sirkuit integrasi yang berfungsi dalam julat 30 hingga 300 gigahertz.

Arsenid gallium lebih sesuai daripada silikon untuk membuat sirkuit mikrogelombang monolitik (termasuk sirkuit kelajuan ultra tinggi) terutamanya kerana: 1. Resistensi substrat arsenid galium yang semi-isolasi adalah setinggi 107ｙ109 ohm ·cm, dan kehilangan transmisi gelombang mikro adalah kecil; 2. Arsenid Mobiliti elektron galium adalah kira-kira 5 kali lebih tinggi daripada silikon, frekuensi operasi adalah tinggi, dan kelajuan adalah cepat; 3. Peranti kunci aktif gallium arsenide metal-semiconductor field-effect transistor adalah peranti berbilang-fungsi dengan tahan radiasi yang baik, jadi gallium arsenide sirkuit mikrogelombang Chip tunggal mempunyai prospek aplikasi luas dalam radar array fasa-keadaan kuat, peralatan countermeasure elektronik, rudal taktik, penerimaan satelit televisyen, komunikasi microgelombang, Komputer kelajuan-ultra tinggi, dan pemprosesan maklumat kapasitas besar.

Sirkuit mikrogelombang monolitik yang telah berjaya dikembangkan dan secara perlahan-lahan dilaksanakan termasuk: penyampai bunyi rendah-terpasang mikrogelombang monolitik, ujung depan penerima satelit TV monolitik, penyampai kuasa mikrogelombang monolitik, oscilator monolitik yang mengawal tenaga mikrogelombang, dll. - dan fungsi pemprosesan maklumat isyarat gelombang mikro. Kebanyakan sirkuit dirancang mengikut keperluan mesin lengkap yang berbeza dan ciri-ciri band frekuensi gelombang mikro, dan mereka sangat spesifik.

PCB sirkuit mikrogelombang

Penciptaan sirkuit gelombang mikro

"Sirkuit mikrogelombang" sentiasa sinonimum dengan "sirkuit panduan gelombang". Sejak awal tahun 1930-an, orang sedar bahawa panduan gelombang adalah struktur transmisi yang sangat berguna untuk frekuensi gelombang mikro. Peneliti telah lama menemukan bahawa seksyen kecil panduan gelombang selepas pengubahsuaian yang betul boleh digunakan sebagai radiator atau potongan antigen elektrik. Seperti gua resonan dan antena tanduk. Dalam pembangunan sirkuit panduan gelombang modern, dari awal, usaha telah dibuat untuk menghantar kuasa gelombang mikro secara efektif dari sumber gelombang mikro ke garis penghantaran panduan gelombang, dan untuk dikembalikan secara efektif pada akhir penerimaan. Ini meletakkan perubahan ke penghantar asal yang sepadan dan penerima asal. Permintaan tinggi. Oleh itu, ia menyebabkan penampilan komponen seperti pengesan gelombang berjalan, meter panjang gelombang, dan muatan terminal.

Pembangunan dan aplikasi teknologi mikrogelombang telah membentuk dasar sirkuit mikrogelombang. Dari penemuan awal prinsip refleksi berbilang yang berhenti dan prinsip resonansi guati yang sepadan, kepada penggunaan prinsip-prinsip ini untuk sepadan sumber kuasa gelombang mikro dengan panduan gelombang, dan kemudian untuk sepadan panduan gelombang dengan penerima (seperti pengesan kristal), dan gunakan peranti ini untuk membuat isyarat frekuensi tertentu melalui sirkuit.

Salah satu ciri asas sirkuit gelombang mikro adalah untuk menyesuaikan atau menyesuaikan ciri-ciri mereka berdasarkan pengalaman melalui skru dan diafragma di dalam panduan gelombang (dan bahkan saiz termampat). Pada awalnya, ini hanya satu kaedah percubaan dan ralat, dan kemudian dikembangkan menjadi yang disebut "jurutera panduan gelombang". Untuk masa yang lama, ia juga salah satu kaedah yang paling biasa digunakan dalam rangkaian gelombang mikro.

Status semasa litar gelombang mikro

Sirkuit mikrogelombang bermula dari sirkuit mikrogelombang tiga dimensi yang digunakan pada tahun 1940-an. Ia terdiri dari garis penghantaran panduan gelombang, unsur panduan gelombang, guati resonan dan tub mikrogelombang. Pada tahun 1960-an, generasi baru sirkuit mikrogelombang terpasang dengan peranti semikonduktor, teknologi depositi filem tipis dan teknologi fotografi muncul. Kerana saiz kecil, berat ringan, dan penggunaan yang sesuai, ia digunakan sepenuhnya dalam senjata, aerospace, dan satelit.

Dua transmisi asas sering digunakan dalam sirkuit gelombang mikro, iaitu panduan gelombang dan garis koaksial mod TEM. Pemandu gelombang berkenaan dengan kuasa tinggi dan kehilangan rendah. Ciri-ciri terakhir membawa kepada muncul ruang resonan Q tinggi. Garis koaksial mempunyai ciri-ciri jalur lebar sebab tiada kesan penyebaran. Selain itu, konsep impedance juga boleh mudah dijelaskan dalam garis koaksial, yang mempermudahkan proses desain komponen. Kedua struktur transmisi ini telah berkembang menjadi komponen sirkuit mikrogelombang yang penting, dan penggunaan kedua-dua bersama-sama boleh mencapai keputusan yang tidak dijangka.

Struktur penghantaran garis jalur digunakan dalam sirkuit mikrogelombang. Bentuk ini sama dengan yang digunakan hari ini. Ia terdiri dari dua plat dielektrik dengan logam di luar dan konduktor garis halus. Dengan kemunculan laminat-clad tembaga, garis garis telah berkembang menjadi proses ketepatan yang prestasi boleh dihitung secara lanjut. Ciri-ciri yang paling penting bagi struktur penghantaran garis garis garis garis garis adalah bahawa impedance karakteristiknya dikawal oleh lebar konduktor garis tengah. Karakteristik dua-bit bagi struktur sirkuit garis garis strip membolehkan untuk menyedari sambungan banyak komponen tanpa menghancurkan lapisan perisai konduktor luar, yang juga membawa fleksibiliti besar ke kedudukan input dan output. Sebab ciri-ciri sambungan yang ada apabila dua konduktor garis dekat bersama, garis garis garis sangat selesa untuk digunakan dalam sambungan garis selari.

Sejak 1974, Plessey dari Amerika Syarikat telah menggunakan GaAs FET sebagai peranti aktif dan GaAs semi-isolasing substrat sebagai pembawa untuk mengembangkan penuh MMIC pertama di dunia dengan sukses. Ia telah digunakan dalam aplikasi tentera (termasuk senjata pintar, radar, komunikasi dan perang elektronik, dll.). Dalam impuls MMIC, pembangunan MMIC sangat cepat. Ia adalah kemunculan teknologi GaAs dan ciri-ciri bahan GaAs yang telah berkontribusi kepada pergerakan dari sirkuit mikrogelombang ke sirkuit mikrogelombang monolitik (MMIC). Berbanding dengan sirkuit hibrid microwave generasi kedua HMIC, MMIC mempunyai keuntungan saiz yang lebih kecil, kehidupan yang lebih panjang, kepercayaan tinggi, bunyi rendah, konsumsi tenaga rendah, dan frekuensi sempadan operasi yang lebih tinggi. Oleh itu, ia telah menerima perhatian yang luas.

Kemunculan sirkuit mikrogelombang monolitik telah membuat penyelesaian sirkuit mikrogelombang berbeza mungkin. Oleh itu, pelbagai peranti MMIC telah mencapai pembangunan yang belum pernah berlaku, seperti penyampai kuasa MMIC, penyampai bunyi rendah (LNA), penyampai, penyukar atas, oscilator kawal tegangan (VCO), penapis, dll., sehingga ujung depan MMIC dan seluruh sistem penerima. Sirkuit mikrogelombang terpasang monolitik mempunyai prospek aplikasi luas dalam radar tatasusunan tahap kuat-kuat, peralatan lawan elektronik, rudal taktik, penerimaan satelit televisyen, komunikasi mikrogelombang, komputer kelajuan-ultra tinggi, dan pemprosesan maklumat kapasitas besar.

Dengan peningkatan lanjutan teknologi MMIC dan kemajuan teknologi sirkuit terintegrasi berbilang lapisan, struktur mikrogelombang berbilang lapisan tiga dimensi yang menggunakan substrat berbilang lapisan untuk menyadari hampir semua peranti pasif dan rangkaian penyelesaian cip telah menerima semakin banyak perhatian. Dan teknologi MCM (Multi-Chip Module) yang dibina pada substrat sambungan berbilang lapisan akan membuat saiz sistem gelombang milimeter mikrogelombang lebih kecil.

PCB sirkuit mikrogelombang

Tenderasi pembangunan sirkuit mikrogelombang

1. Teknologi sambungan dan penghasilan sirkuit mikrogelombang

Teknologi gelombang mikro dan sambungan sirkuit mikrogelombang dan teknologi penghasilan menggunakan frekuensi di atas 1 GHz telah berkembang dengan cepat dan digunakan secara luas. Dalam sistem maklumat modern dan peralatan elektronik tentera seperti radar, peralatan navigasi dan komunikasi, sirkuit mikrogelombang adalah "aorta" maklumat kelajuan tinggi. Oleh itu, sirkuit mikrogelombang dan teknologi sambungan dan pembuatan mereka adalah teknologi utama dalam pembangunan dan pembuatan sistem maklumat dan peralatan elektronik tentera. Perhubungan sirkuit mikrogelombang dan teknologi pembuatan termasuk: bahan-bahan substrat sirkuit mikrogelombang dan teknologi pembuatan, rancangan sirkuit mikrogelombang dan teknologi pembuatan, teknologi pembuatan dan pemasangan peranti atau komponen mikrogelombang, teknologi pemasangan dan penyahpepijatan komponen atau sistem mikrogelombang. Ia melibatkan banyak disiplin seperti mikroelektronik, sains bahan, teknologi aplikasi komputer, teknik mekanik elektronik, dll.; ia adalah sains dan teknologi berbilang-disiplin dan meliputi. Ia mempunyai ciri-ciri kandungan teknologi tinggi, kesulitan teknikal tinggi, kelajuan pembangunan cepat, kawasan aplikasi luas dan kesan besar dalam sistem maklumat dan peralatan elektronik tentera.

Dengan kemajuan cepat sains dan teknologi seperti teknologi mikroelektronik, teknologi komponen, sains materi, reka-reka dan penghasilan komputer-membantu, dll., teknologi dan teknologi baru untuk sambungan dan penghasilan sirkuit mikrogelombang sentiasa muncul. Contohnya, sirkuit mikrogelombang berbilang lapisan dan sirkuit mikrogelombang berbeza tiga dimensi (3DMMIC), garis trasmis kerugian rendah dan sirkuit mikrogelombang membran melindungi (SMM), modul mikrogelombang berbilang-cip, sirkuit mikrogelombang, sistem mikroelektromekanikal (MEMS) sambungan dan teknologi pembuatan, teknologi PCB microgelombang Resin baru, Teknologi melindungi sirkuit gelombang mikro baru, serta teknologi simulasi sirkuit tiga dimensi yang dilaksanakan untuk desain sirkuit gelombang mikro, sirkuit gelombang mikro CAD dan teknologi optimasi berdasarkan kaedah cerdas, dll.

2. Struktur jarak band fotonik sirkuit mikrogelombang

Pada tahun 1987, Yablonovitch mencadangkan struktur ruang sub-band (PBG), yang asalnya dilaksanakan dalam medan optik, dan telah diperkenalkan ke dalam band gelombang mikro dalam tahun-tahun terakhir, yang telah menarik perhatian yang luas. Apabila gelombang elektromagnetik berkembang dalam bahan-bahan dengan struktur periodik, mereka akan diubahsuai untuk menghasilkan ruang band fotonik. Apabila frekuensi operasi gelombang elektromagnetik jatuh dalam ruang band, tiada keadaan transmisi. Struktur ruang sub-band dilaksanakan pada band gelombang mikro, yang boleh mencegah gelombang elektromagnetik dalam band frekuensi tertentu daripada menyebarkannya sama sekali. Pada masa yang sama, struktur jarak band fotonik juga akan mengubah konstan penyebaran dalam band laluan, yang merupakan struktur gelombang lambat. Kerana ciri-ciri tertinggi struktur jarak band fotonik, ia digunakan secara luas dalam penolakan band, penghalangan harmonik tertib tinggi, peningkatan efisiensi, peningkatan lebar band, dan pengurangan saiz. Struktur jarak band fotonik boleh mengadopsi bahan logam, dielektrik, ferromagnetik atau ferroelektrik yang dipasang dalam bahan substrat, atau secara langsung membentuk pengaturan periodik berbagai bahan. Terdapat banyak jenis struktur bandgap fotonik gelombang mikro yang diusulkan di rumah dan di luar negeri, dan pembangunan semasa dari struktur tiga dimensi ke struktur satu dimensi dan dua dimensi. Kerana mudah implementasi dan integrasi, kajian struktur bandgap fotonik telah dikembangkan ke bidang elektronik dan komunikasi. Pada masa ini, bentuk unit struktur bandgap fotonik, keadaan periodik, kombinasi pelbagai tubuh deformasi struktur periodik dan pembangunan bahan-bahan adalah semua titik penyelidikan yang layak diperhatikan.

Subkristal adalah kristal buatan terbentuk oleh pengaturan periodik satu medium dalam medium lain. Ciri-ciri asas kristal fotonik adalah bahawa mereka mempunyai ruang band fotonik. Gelombang elektromagnetik yang frekuensi jatuh dalam ruang band dilarang untuk menyebarkan. Karakteristik unik kristal fotonik pertama kali digunakan dalam medan optik, kemudian cepat dikembangkan ke medan lain, dan kini mereka juga dicari dan dilaksanakan dalam band frekuensi gelombang mikro. Pada masa ini, berbagai struktur jarak band fotonik gelombang mikro telah diusulkan di rumah dan di luar negeri. Struktur jarak band fotonik gelombang mikro asal terdiri dari pengaturan periodik medium tiga dimensi. Kerana proses dan analisis struktur tiga dimensi sangat rumit, kajian dan produksi struktur ruang band fotonik gelombang mikro berkonsentrasi. Pada struktur pesawat. Penampilan struktur ruang band fotonik planar telah mengubah kaedah rancangan tradisional, menyediakan cara baru untuk rancangan sirkuit integrasi tinggi, dan membawa revolusi dalam rancangan fikiran sirkuit integrasi microwave. Kerana struktur bandgap planar satu-dimensi dan dua-dimensi fleksibel, mudah untuk dilaksanakan dan mudah untuk disertai, mereka telah digunakan secara luas dalam sirkuit mikrogelombang, dan mereka telah membawa pembangunan yang lebih cepat bagi sirkuit integrasi mikrogelombang.

3. MEMS switches for microwave circuit

Menurut definisi terkini MEMS, ia adalah peranti atau tata peranti miniaturized yang menggabungkan komponen elektrik dan mekanik, dan boleh dihasilkan dalam batch menggunakan teknologi IC. Walaupun proses penghasilan IC tradisional dan proses penghasilan MEMS mempunyai kesamaan besar, yang pertama adalah teknologi planar, dan yang kedua adalah teknologi tiga dimensi. Teknologi memproduksi MEMS yang kini digunakan secara luas termasuk: teknologi mikromesinan besar, teknologi mikromesinan permukaan, teknologi mikromesinan ikatan dan teknologi LIGA (teknologi elektroforming litografi).

Switch adalah unsur kunci penukaran isyarat gelombang mikro. Berbanding dengan pemutar diod p2i2n tradisional dan pemutar FET, pemutar RFMEMS semasa mempunyai ciri-ciri gelombang mikro yang lebih baik dan keuntungan yang terkandung seperti berat ringan, saiz kecil, dan konsumsi kuasa rendah. Dengan pembangunan teknologi memproduksi MEMS dan teori proses, selepas mengatasi kekurangan penukaran MEMS seperti kehidupan kerja pendek dan kelajuan penukaran rendah, penukaran RFMEMS pasti akan mencapai pembangunan yang lebih besar dalam sistem mikrogelombang. Pada masa ini, pemindah RFMEMS telah digunakan dalam sirkuit bahagian depan, bank kapasitor digital dan rangkaian pemindahan fasa beberapa sistem gelombang mikro.

4. Komponensisasi lambat sirkuit mikrogelombang

Trend lain dalam sirkuit microstrip adalah untuk menggunakan komponen lumped. Pada masa lalu, kerana saiz unsur lumped adalah sama dengan panjang gelombang mikrogelombang, mereka tidak dapat digunakan untuk frekuensi gelombang mikro. Dengan pembangunan fotografi dan teknologi filem tipis, saiz komponen lumped (kondensator, induktor, dll.) telah dikurangkan jauh, sehingga band J boleh digunakan sepanjang masa. Mengumpul unsur lumped pada substrat dielektrik dengan peranti setengah konduktor dalam bentuk cip adalah kaedah brand-baru untuk sirkuit integrat microwave. Selain mengurangi saiz, keuntungan lain dari komponen lumped adalah bahawa beberapa teknik yang sangat berguna dan teknik optimasi dalam sirkuit frekuensi rendah sekarang boleh digunakan secara langsung dalam medan microwave.

5. Planarisasi dua dimensi sirkuit mikrogelombang

Selain unsur lumped dan unsur garis transmisi satu-dimensi, beberapa orang juga telah mengusulkan unsur planar dua-dimensi untuk sirkuit microwave. Komponen ini kompatibel dengan garis garis garis garis dan garis garis mikro, yang menyediakan alternatif yang sangat berguna untuk desain sirkuit mikrogelombang.

Pada masa ini, terdapat tiga cara utama untuk menyedari sirkuit planar dua-dimensi: struktur tiga-elemen, struktur terbuka, dan struktur lubang. Berbanding dengan litar garis garis garis, ia mempunyai keuntungan darjah besar kebebasan dan perlawanan input rendah. Berbanding dengan litar panduan gelombang, ia lebih mudah untuk menganalisis dan desain. Dengan bantuan kuasa pengiraan kuat komputer kelajuan tinggi, ia boleh berurusan dengan mana-mana bentuk mengikut keperluan. Sirkuit planar dianalisis, yang meningkatkan efisiensi kerja. Saya percaya bahawa dalam masa depan yang dekat, aplikasinya akan menjadi semakin luas.

6. Generasi baru MIC

Generasi baru MIC mungkin sirkuit terpasang mikrogelombang monolitik pada substrat semikonduktor. Substrat semikonduktor yang digunakan adalah silikon resistiviti tinggi, arsenid gallium resistiviti tinggi, dan silikon resistiviti rendah dengan lapisan dioksid silikon. Ada dua kesulitan teknikal. Pertama ialah tiada kaedah penghasilan universal untuk pelbagai peranti semikonduktor gelombang mikro yang digunakan di dalamnya, dan kedua ialah bahawa komponen yang disebarkan pasif (segmen garis trasmis) memerlukan substrat kawasan besar. Namun, trends baru-baru ini menunjukkan bahawa proses GaAs adalah kunci untuk sirkuit integrasi monolitik mikrogelombang. Dalam penyembah analog dengan lebar bands gigahertz dan litar integrasi digital dengan kadar gigabit, gallium arsenide metal-semiconductor field effect transistors (MESFETs) akan mendominasi. Sama ada ia sirkuit integri mikrogelombang hibrid atau monolitik, keuntungannya pada dasarnya sama dengan sirkuit integri frekuensi rendah, iaitu, sistem mempunyai kepercayaan tinggi dan mengurangi volum dan berat. Di mana bilangan besar komponen piawai diperlukan, ia akan akhirnya menyebabkan pengurangan biaya. Seperti litar terintegrasi frekuensi rendah, MIC mempunyai potensi besar dalam mengembangkan pasar yang ada dan membuka banyak penggunaan baru, termasuk sejumlah besar projek awam.

Sirkuit mikrogelombang sedang berkembang dengan kelajuan yang belum pernah berlaku. Dengan popularitas sirkuit terpasang berbeza, pembangunan sirkuit microwave pasti mempunyai masa depan yang cerah. Syarikat Circuit iPCB khusus dalam menghasilkan sirkuit mikrogelombang PCB. Jika anda mempunyai sebarang soalan, sila konsultasi iPCB.