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Elenco dei materiali PCB

Elenco dei materiali PCB - Substrato dielettrico rivestito in rame a microonde TP-1/2

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Elenco dei materiali PCB - Substrato dielettrico rivestito in rame a microonde TP-1/2

Substrato dielettrico rivestito in rame a microonde TP-1/2

Il vantaggio della progettazione per circuito a microonde. utilizzando TP-1/2 qui:

(1) La costante dielettrica è stabile e può essere opzionale all'interno della gamma di 3022 secondo la progettazione del requisito del circuito. La temperatura di esercizio è di -100 gradi Celsius~+150 gradi Celsius;

(2) La resistenza della buccia tra il rame e il substrato è più affidabile del rivestimento del film sottovuoto del substrato ceramico. Questo substrato è creato per offrire ai clienti facile per l'elaborazione del circuito, più alto tasso di passaggio di produzione e il costo di produzione è molto più basso del substrato ceramico.

(3)Fattore di dispersione tgδâ¤1*10-3,e la perdita ha una leggera variazione con l'aumento della frequenza.

(4) È facile per la fabbricazione meccanica, compreso trapano, punzone, macinazione, taglio, incisione, ecc. Per questi, il substrato ceramico non può essere confrontato.


Specifiche tecniche TP-1/2

Aspetto

Liscio e pulito su entrambi i lati: nessuna macchia, graffio e ammaccatura.

Dimensione e

tolleranza

(mm)

Dimensioni A*B(mm)

Tolleranza

120*100, 150*150, 160*160, 180*180, 200*200,170*240

-2

Spessore e tolleranza

0.8±0.05,1.0±0.05,1.2±0.05,1.5±0.06,2.0±0.075,3.0±0.10,4.0±0.10,5.0±0.12,6.0±0.12,10.0±0.2

Per le dimensioni speciali, la laminazione su misura è disponibile.

Resistenza meccanica

Resistenza della buccia

Allo stato normale:â ʎ 6N/cm; In ambiente di umidità e temperatura alternate: 4 N/cm .

Proprietà chimica

Secondo le proprietà del laminato, il metodo di incisione chimica per PCB può essere utilizzato. Le proprietà dielettriche dei materiali non vengono modificate.

Proprietà elettrica

Nome

Condizioni di prova

Unità

Valore

Densità

Stato normale

g/cm3

1.02.9

Umidità

Assorbimento

Immergere in acqua distillata di 20±2 gradi Celsius per 24 ore

%

≤0.02

Temperatura di esercizio

Camera ad alta-bassa temperatura

grado Celsius

-100~+150 (la temperatura di elaborazione non dovrebbe superare 200 gradi Celsius)

Conduttività termica

-55~288 gradi Celsius

W /m /k

0.6

CTE

Aumento della temperatura di 96 gradi Celsius all'ora


 6*10-5

Fattore di restringimento

2 ore in acqua bollente

%

0.0004

Resistività superficiale

500V

DC

Stato normale

M.Ω

≥1*107

Umidità e temperatura costanti

≥1*105

Resistività del volume

Stato normale

MΩ.cm

≥1*109

Umidità e temperatura costanti

≥1*106

Resistenza del perno

500V DC

Stato normale

MΩ

≥1*106

Umidità e temperatura costanti

≥1*104

Resistenza dielettrica superficiale

Stato normale

Kv/mm

≥1.5

Umidità e temperatura costanti

≥1.2

Costante dielettrica

10GHZ

εr

3,6, 9.6, 10.2, 10.5, 11, 16, 20, 22 (±2%) (costante dielettrica può essere personalizzata)

Fattore di dispersione

10GHZ

Tgδ(εr 3-11)

≤1*10-3

Tgδ(εr 12-22)

≤1.5*10-3



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