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Notizie PCB - Transistor è un componente elettronico importante nella scheda PCBA

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Transistor è un componente elettronico importante nella scheda PCBA

2021-10-14
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Author:Frank

Transistor è un componente elettronico importante nella scheda PCBA Transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare segnali elettronici e potenza. È composto da materiali semiconduttori che solitamente sono collegati a circuiti esterni da almeno tre pin. Sono componenti elettronici importanti nelle schede PCBA. I transistor sono principalmente suddivisi in due categorie: transistor bipolari di giunzione e transistor ad effetto campo.

1. Transistore bipolare di giunzione (BJT) Transistore bipolare di giunzione, chiamato anche triodo semiconduttore. Poiché il transistor è eseguito utilizzando vettori maggioritari e minoritari, il transistor bipolare di giunzione è il primo tipo di transistor ad essere prodotto in serie. È una combinazione di due diodi di giunzione ed è inserita tra due semiconduttori di tipo n. Tra il film semiconduttore tipo p (transistor tipo np-n), o tra due semiconduttori tipo p (transistor pnp) tra il film sottile semiconduttore tipo n. Questa struttura crea due giunzioni p-n: base, giunzione emettitore e giunzione collettore, separate da una sottile regione semiconduttore nella regione base al centro.

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BJT ha tre terminali corrispondenti a tre strati di semiconduttori (emettitore, base e collettore). Sono utili negli amplificatori perché la corrente all'emettitore e al collettore può essere controllata da una corrente di base relativamente piccola. In un transistor n-p-n operante nella regione attiva, le giunzioni dell'emettitore e della base sono polarizzate in avanti (elettroni e fori si ricombinano alla giunzione) e gli elettroni vengono iniettati nella regione di base. A causa della base stretta, la maggior parte di questi elettroni si diffonderà alla base inversa e collettore e saranno spazzati nel collettore; Forse l'1% degli elettroni si ricombina nella base, che fa parte del meccanismo di guida della corrente di base. Controllando il numero di elettroni che possono lasciare la base, viene controllato il numero di elettroni che entrano nel collettore. La corrente del collettore è approssimativamente β della corrente di riferimento (guadagno corrente comune dell'emettitore). Di solito è superiore a 100 per i transistor a piccolo segnale, ma può essere più piccolo nei transistor progettati per applicazioni ad alta potenza.

A differenza dei transistor ad effetto campo, BJT è un dispositivo a bassa impedenza di ingresso. Inoltre, con l'aumento della tensione base e dell'emettitore (VBE), la corrente base, l'emettitore e la corrente collettore ed emettitore (ICE) aumentano esponenzialmente secondo il modello a diodi Shockley e il modello Ebers-Moll. A causa di questa relazione esponenziale, BJT ha una transconduttanza più elevata di FET.

I transistor bipolari possono condurre l'elettricità mediante esposizione alla luce, perché l'assorbimento dei fotoni nella regione di base produce una fotocorrente come corrente di base; la corrente del collettore è circa β volte la fotocorrente. Il dispositivo progettato per questo ha una finestra trasparente nella confezione, chiamata fototransistor.

2. transistor di effetto di campo (FET) transistor di effetto di campo sono utilizzati principalmente per condurre la conduzione su elettroni (in FET di n-canale) o fori (FET di p-canale). I quattro terminali del FET sono chiamati sorgente, cancello, scarico e corpo (substrato). Nella maggior parte dei FET, il corpo è collegato a una fonte nel pacchetto.

In un FET, le correnti di scarico e sorgente scorrono attraverso un canale conduttivo che collega la regione sorgente alla regione di scarico. La conducibilità è cambiata dal campo elettrico generato quando viene applicata una tensione tra il cancello e il terminale sorgente; Pertanto, la corrente che scorre tra lo scarico e la sorgente è controllata dalla tensione applicata tra il cancello e la sorgente. Con l'aumento della tensione del gate (VGS), le correnti di scarico e sorgente (IDS) aumentano esponenzialmente quando il VGS è inferiore alla soglia, e quindi l'area "carica limitata di spazio" sopra la soglia ad una velocità approssimativamente quadratica. Nessuna secondarietà è osservata nei dispositivi moderni, come al nodo di tecnologia 65 nanometri. Per larghezza di banda ridotta e basso rumore, la maggiore resistenza in ingresso del FET è vantaggiosa.

I componenti elettronici comunemente usati dei transistor nei circuiti includono diodi, triodi, tubi effetto campo, ecc. Identificare chiaramente il tipo di transistor è un'abilità di base nel processo di elaborazione PCBA.