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Tecnología de sustrato IC

Tecnología de sustrato IC - Análisis térmico del sustrato de encapsulamiento IC

Tecnología de sustrato IC

Tecnología de sustrato IC - Análisis térmico del sustrato de encapsulamiento IC

Análisis térmico del sustrato de encapsulamiento IC

2021-07-20
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Author:T.K

Hoy en día, cada vez más diseños de sistemas de sustrato de encapsulamiento IC / PCB requieren análisis térmicos. El consumo de energía es una cuestión clave en el diseño del sistema de encapsulamiento / PCB y debe considerarse cuidadosamente en los campos del calor y la electricidad. Para un mejor análisis geotérmico, tomamos como ejemplo la conducción de calor en sólidos y aprovechamos la dualidad de estas dos áreas. La figura 1 y la Tabla 1 describen la relación básica entre el dominio eléctrico y el dominio térmico.

IC


Sustrato IC



Hay algunas diferencias entre los campos de la electricidad y el calor, como:

En el dominio eléctrico, la corriente está limitada al flujo de algunos elementos del circuito, pero en el dominio térmico, el flujo de calor sale de una fuente tridimensional a través de tres mecanismos de conducción térmica (conducción, convección y radiación).

El acoplamiento térmico entre los componentes es más obvio que el acoplamiento eléctrico y es más difícil separarse.

Las herramientas de medición son diferentes. Para el análisis térmico, los termómetros infrarrojos y los termómetros reemplazan los osciloscopios y las sondas de voltaje.

Chip IC



Sustrato IC



Lo siguiente:

Q es el calor transmitido por segundo, en julios por segundo.

K es la conductividad térmica (w / (k.m))

A es el área transversal del objeto (m2).

Isla t con diferencia de temperatura

La isla es el grosor del material

HC es el coeficiente de transferencia de calor convectivo

HR es el coeficiente de transferencia de calor por radiación

T1 es la temperatura inicial de un lado

T2 es la temperatura del otro lado

T es la temperatura (oc) de la superficie sólida.

TF es la temperatura media (oc) del fluido.

Th es la temperatura del extremo caliente (k).

TC es la temperatura del extremo frío (k).

La isla es el coeficiente de radiación del objeto (cuerpo negro) (0 a 1)

Ífan = constante Stefan Boltzmann = 56703 * 10 - 8 (w / (m2k4))


Sigritym Power dctm es una tecnología de calefacción eléctrica probada que se ha utilizado durante muchos años en el diseño, análisis y aceptación de aplicaciones de encapsulamiento y pcb. La simulación colaborativa eléctrica / térmica integrada permite a los usuarios verificar fácilmente si el diseño cumple con los umbrales de voltaje y temperatura designados sin gastar mucha energía en la selección de muchos factores de influencia difíciles de determinar. Con esta tecnología, puede obtener un margen de diseño preciso y reducir los costos de fabricación del diseño. La siguiente imagen muestra el método Power DC para simulación colaborativa eléctrica / térmica:

Sustrato IC



Además de la simulación colaborativa eléctrica / térmica, powerdc ofrece otras funciones relacionadas con el calor, como:

Extracción del modelo térmico

Análisis de tensión térmica

Análisis de múltiples placas

Simulación colaborativa de placas de circuito encapsuladas en chips


Con estas tecnologías y funciones, puede evaluar fácilmente y rápidamente el flujo de calor y la radiación del diseño de encapsulamiento o placa de circuito impreso a través de métodos gráficos y cuantitativos.


Extracción del modelo térmico


Análisis de tensión térmica


Análisis de múltiples placas


Placa de circuito de chip



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