Công nghệ vi sóng - Công nghệ sản xuất cao tần số

Công nghệ sản xuất cao tần số

Bảng tần số caocông nghệ thiết kế mạch in

(L) Bề ngang đường truyền. Thiết kế đường truyền của các bảng mạch tần số cao phải dựa trên lý thuyết tương ứng trở.

Khi cản trở xuất khớp với cản đường truyền, năng lượng xuất của hệ thống là lớn nhất (sức mạnh tổng của tín hiệu là nhỏ nhất), và phản xạ nhập là nhỏ nhất.

Đường dẫn tín hiệu xuyên qua lỗ sẽ làm thay đổi tính năng truyền do gây trở ngại, và khả năng cản trở đặc trưng của đường dây tín hiệu TTP và CM chỉ là vô nghĩa.

Tuy, tầm ảnh hưởng của việc trở nên thấp bảng mạch tần số caophải được cân nhắc, và giá trị của 50 oham phải được xem xét, và đường tín hiệu không nên đi qua các lỗ..

Biên dịch giữa các đường truyền

Khi khoảng cách giữa hai đường dây nhỏ song song song song, một cái nối tạo ra sự trao đổi giữa các đường và ảnh hưởng đến Trở ngại đặc trưng của đường truyền. Đặc biệt phải chú ý đến các mạch tần số cao của 50 oham và 750m.

Thiết bị nối này cũng được sử dụng trong thiết kế thực tế của các mạch, như đo năng lượng và điều khiển năng lượng của điện thoại di động. Kết quả phân tích này hợp lệ cho các mạch tần số cao và đường dẫn dữ liệu tốc độ cao. Giá trị tham khảo cho mạch lò vi sóng, ví dụ như mạch khuếch đại động độ chính xác.

Phỏng đoán: mức độ kết nối giữa các đường thẳng bằng mức độ kết nối của đường C, kích thước của C và chiều dài của đường thẳng song song, như R, W/D, S, L và L. C àng nhỏ, kết nối càng mạnh. một ví dụ: một cặp đôi trực tiếp 50 oham.

Trong phần này,

Ví dụ như, 1.97='PCS cơ bản khuếch đại pin nhà ga, nơi D='30 MHz, EPSTEON R=* 3.48: bộ đôi dẫn bảng mạchCỡ 10Db: S='5mil, L='920mil, W bảng mạchCỡ 20db: S.='3mil, L='920mil, W. Để giảm liên lạc giữa các đường tín hiệu,

Phải đề xuất như sau:

A. Khoảng cách giữa đường tín hiệu song cho dữ liệu tần suất cao hay tốc độ cao lớn hơn gấp đôi chiều rộng của đường.

B. Giảm chiều dài các đường tín hiệu song.

C, tín hiệu tần số nhỏ, được dùng để tránh sử dụng các đường dây tín hiệu logic và tín hiệu âm tính thấp và các nguồn nhiễu hào phóng khác.

(3) Phân tích điện từ từ từ từ từ dưới đất. Bán thiết bị hoà khí hay bất kỳ vật cản khác với mặt đất, trong mạch tần số cao, càng gần với đầu bàn chải càng tốt.

Bởi vì đường dẫn sử dụng đất rất ngắn, đường truyền trên Trái đất tương đương với phần cản kéo tự động (từ n-pH) và lỗ trên đất có độ cao so với cái cản tự động ảnh hưởng đến hiệu suất lọc của tín hiệu tần suất cao.

Trong đất trên đất, khả năng bề mặt của đường mạch tần số thấp tăng lên để đảm bảo mọi địa điểm đều bằng không.

Bộ lọc điện Để giảm tác động của logic tín hiệu lên hệ thống điện (quá tải), thì vòng BBL và hệ thống CMOS đã thêm tụ điện từ bộ lọc gần ổ cắm điện, nhưng không đủ để mạch tần số cao và vi sóng có thể dùng những biện pháp đó.

Trong quá trình sản xuất, tín hiệu tần số cao được dùng làm ví dụ để minh họa tín hiệu tần số cao. Những tín hiệu tần số cao của hai phương pháp này gây ra nhiễu tần số cao tới nguồn điện và ảnh hưởng tới các mạch chức năng khác.

Ngoài các tụ điện và bộ lọc ra, các bộ dẫn đầu chuỗi cũng cần thiết để ngăn chặn các nhiễu tần số cao.

Tính tử tế được chọn nếu tính tạm ứng được thêm vào cột tín hiệu mạch mở của bộ sưu tầm năng lượng bên ngoài, bởi vì tính tự nhiên lúc này tương đương với tính tự nhiên tương ứng.

Bảo vệ Khi thiết kế tín hiệu tần số thấp và tần suất cao, phải có biện pháp phòng vệ để giảm nhiễu tín hiệu tần số cao (như mức logic) hay phóng xạ điện từ.

A. Khi thiết kế các đường mạch in nhỏ điện tử và tần số thấp (ít hơn ba mươi M4) với nhau, ngoài việc phân tách các đường dây điện tử và Analog, phải đặt một vùng dây dẫn tín hiệu giảm, và khoảng cách giữa mặt đất và đường tín hiệu phải lớn hơn đường rộng.

B. Khi thiết kế các mạch điện tử tần số cao và tần số thấp, các b ộ tiết bảo vệ hay cách ly nên được thêm vào phần tần số cao.

c. Khi thiết kế mạch tần số cao và tín hiệu cao, c ác mô- đun chức năng độc lập và hộp chắn sẽ được dùng để giảm phóng xạ của tín hiệu tần số cao.

Ví dụ như nhận và gởi sợi quang 155M, 62M và 2GB/môđun. Một bảng mạch in đa lớp (NOKIA 610), máy đọc mặt sau, và thiết kế bảng mạch điện thoại cầm tay.

Thí dụ trong việc chọn các bảng mạch in cho bảng cao cấp Một ví dụ về phát minh này là một mạch tần s ố cao (lò vi sóng) được thiết kế và phát triển bởi chúng tôi để minh họa lựa chọn của trung tâm.

(1) Hãy chọn thẻ rơ-le lò vi sóng với quang phổ 2.4 GHz. Chúng tôi sử dụng thẻ FR4, bốn bảng mạch in, một bảng lát lớn, một bộ đệm làm lát lớn, nguồn năng lượng tương tự tần số, nhờ vào các cuộn ma tạm thời, và bộ phận số bị tách ra. The 24 GHz RF transceiver uses an F4 double panel, là transceiver and the transceiver are protected by a metal box, and the hấp thụ power is lọc.

(2) 1.9 GHz RF transceiver PTfer card is used to power apprecreciater, bản mạch in hai mặt, Thẻ điện thoại đông ánh ảo dùng cho máy thu phát sóng Game thẻ in bốn lớp, the bảng mạchsử dụng tất cả các biện pháp phòng nhiệt cao bề mặt và các mô- đun chức năng.

(3) Fi-10 vz transceiver The upper lớp is composed of wide S1139 mm, vỉa hè, and S1139 mm plates separated by holes.

(4) Transceiver 70 MHz We are using FR4 card and Game thẻ in bốn lớp. Băng bảo vệ vùng lớn, dây chắn điện và dây cách ly chùm tia. Tăng điện 30W Chúng tôi đã dùng tấm RO4350 và một bản mạch in hai mặt.

(5) Các giường trải rộng, khoảng cách hoặc khoảng cách ngang nhau trên đường cao 50 oham, được bảo vệ bởi hộp kim loại, và bộ lọc năng lượng.

(6) 2000.8 mm dày S1139, bảng mạch in hai mặt.