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Substrato IC

Substrato IC - Processo di imballaggio e collaudo dei chip IC

Substrato IC

Substrato IC - Processo di imballaggio e collaudo dei chip IC

Processo di imballaggio e collaudo dei chip IC

2021-08-17
View:1476
Author:T.Kim

Processo di imballaggio e collaudo dei chip IC:


Processo

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Il pacchetto IC si riferisce al chip (Die) e ai diversi tipi di telaio (L/F) e materiale di sigillamento plastico (EMC) formati da diverse forme del corpo del pacchetto.

Ci sono molti tipi di pacchetto IC, che possono essere classificati come segue:

Secondo i materiali di imballaggio, può essere suddiviso in:

Imballaggi metallici, imballaggi ceramici, imballaggi in plastica

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L'imballaggio metallico è utilizzato principalmente nella tecnologia militare o aerospaziale, nessun prodotto commerciale;

L'imballaggio ceramico è migliore dell'imballaggio metallico, utilizzato anche in prodotti militari, una piccola quantità di mercato commerciale;

Imballaggio in plastica per elettronica di consumo, il suo basso costo, processo semplice, alta affidabilità e occupano la stragrande maggioranza della quota di mercato;



Secondo la modalità di connessione con scheda PCB, può essere divisa in:

Imballaggi PTH e imballaggi SMT

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PTH-Pin Through Hole;

SMT-Surface Mount Technology. Attualmente, la maggior parte dei IC sul mercato sono adottati per il tipo SMT.


Secondo l'aspetto del pacchetto, può essere diviso in:

SOT, SOIC, TSSOP, QFN, QFP, BGA, CSP, ecc.

Due fattori chiave determinano la forma di incapsulamento:

Efficienza di incapsulamento. area chip/area pacchetto, il più vicino possibile a 1:1;

Numero di pin. Più perni, più avanzati, ma anche la difficoltà del processo aumenta di conseguenza;

Tra questi, CSP, a causa dell'uso della tecnologia Flip Chip e del pacchetto Chip nudo, area Chip / area pacchetto =1:1, che è la tecnologia più avanzata al momento.

QFN -- Quad Flat No-lead Package QFN -- Quad Flat No-lead Package

SOIC - Small Outline IC Package

TSSOP - Thin Small Shrink Outline Package

QFP - Quad Flat Package

BGA -- Pacchetto array griglia sferica

CSP - Pacchetto Chip Scale Pacchetto Chip Scale

Struttura del pacchetto IC

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Materie prime in Assemblyã€? Waferã€"

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"Lead Frame"

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Fornisce il collegamento del circuito e la fissazione di Die;

Il materiale principale è rame, che sarà rivestito con argento e NiPdAu.

Il processo L/F include Etch e Stamp;

Facile da ossidare, immagazzinato in un gabinetto di azoto, l'umidità è inferiore a 40% RH;

Tranne BGA e CSP, altri pacchetti utilizzeranno Lead Frame, mentre BGA utilizzerà Substrato;


# Fili d'oro #

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Realizzare il collegamento elettrico e fisico tra il chip e il telaio esterno del cavo;

Filo d'oro è oro di alta purezza 99,99%;

Allo stesso tempo, a causa di considerazioni sui costi, vengono attualmente utilizzati processi di filo di rame e filo di alluminio. Il vantaggio è che il costo è ridotto e la difficoltà di processo è aumentata, il rendimento è ridotto;

Il diametro del filo determina la corrente conduttiva; 0.8mil, 1.0mil, 1.3mils, 1.5mils e 2.0mils;

I componenti principali del composto dello stampo / resina epossidica sono: resina epossidica e vari additivi (agente indurente, modificatore, agente spogliante dello stampo, agente colorante, agente ritardante di fiamma, ecc.);

Le funzioni principali sono le seguenti: Il dado e il telaio del piombo sono avvolti nello stato fuso per fornire protezione fisica ed elettrica e prevenire interferenze esterne;

Condizioni di stoccaggio: 5° sotto lo zero, 24 ore alla temperatura normale;


"Epoxy"

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Polvere metallica riempita di resina epossidica (Ag); Ha tre funzioni: fissare il Die sul Die Pad; dissipazione del calore, effetto conduttivo;

-50° sotto lo stoccaggio, prima dell'uso temperatura posteriore 24 ore;

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FOL-Front of Line

Back Grinding.png

Grinding FOL-Back

Il Wafer dalla fabbrica Wafer è macinato sul retro per ridurre lo spessore del Wafer richiesto per l'imballaggio (8mils ~ 10mils).

Durante la rettifica, è necessario mettere del nastro sull'area attiva per proteggere il circuito e macinare il retro allo stesso tempo. Dopo la macinazione, rimuovere il nastro e misurare lo spessore;


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FOL– Wafer Saw

Il wafer è incollato su una pellicola blu (Mylar) in modo che non cada a pezzi anche dopo essere stato tagliato;

Tagliare l'intera cialda in dadi indipendenti attraverso la lama di sega per facilitare Die Attach e altri processi dietro.

Pulire principalmente la polvere prodotta dalla sega, pulire il wafer;


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FOL -- 2a ispezione ottica

Lo scopo principale è quello di ispezionare l'aspetto del Wafer sotto microscopio dopo Wafer Saw per vedere se ci sono rifiuti.


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FOLⓠDie Attach

Processo di raccolta trucioli:

1. Pin dell'Ejector che solleva il chip da Mylar sotto il wafer, rendendo facile staccarsi dal film blu;

2. Il chip viene prelevato dall'alto per completare il processo di trasporto da Wafer a L/F;

3. raccogliere il chip Bond sul Pad L/F con pasta d'argento con una certa forza e la posizione specifica è controllabile;

4, risoluzione della testa di legame: x-0.2um; Y - 0,5 um; Z - 1,25 um;

5. velocità della testa di legame: 1.3m/s;


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FOLⓠEpoxy Cure

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175°C, 1 ora; Ambiente N2, per prevenire l'ossidazione:

Controllo qualità dell'attacco:

Die Shear


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FOLⓠLegatura metallica

I fili di oro (Au), rame (Cu) o alluminio (Al) ad alta purezza sono utilizzati per collegare il Pad e il piombo tramite saldatura. Il Pad è il punto di connessione esterno del circuito sul chip e il cavo è il punto di connessione sul telaio del cavo.

Il W/B è il processo più critico nel processo di confezionamento.


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3a ispezione ottica


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EOLⓠFine linea


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EOLⓠMolding


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EOLⓠLaser Mark

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Letteratura laser sulla parte anteriore o posteriore del pacchetto. Il contenuto include: nome del prodotto, data di produzione, lotto di produzione, ecc.



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EOLⓠPost Mold Cure

Utilizzato per la polimerizzazione della plastica dopo lo stampaggio per proteggere la struttura interna di IC ed eliminare lo stress interno. Temperatura di cura: 175 + / - 5 ° C; Tempo di cura: 8 HRS


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EOLⓠDe-flash

Scopo: lo scopo di de-Flash è quello di rimuovere lo stampaggio in eccesso tra i cavi intorno al corpo del tubo dopo lo stampaggio; Metodi: Immergere con acido debole e risciacquare con acqua ad alta pressione.


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EOLⓠPlating

Utilizzando metodi metallici e chimici, viene applicato un rivestimento sulla superficie del Leadframe per prevenire gli effetti dell'ambiente esterno (umidità e calore). E rendere i componenti sulla scheda PCB facili da saldare e migliorare la conducibilità elettrica.

Ci sono generalmente due tipi di galvanizzazione:

Pb-free: galvanizzazione senza piombo, utilizzando >99,95% di stagno ad alta purezza (stagno), per l'attuale tecnologia ampiamente utilizzata, in linea con i requisiti RoHS;

E' una lega di stagno-piombo. Lo stagno rappresenta l'85% e il piombo il 15%. Poiché non è conforme alla RoHS, è fondamentalmente eliminato al momento.


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EOLⓠPost Annealing Bake

Obiettivo: Lasciare cuocere il prodotto dopo la galvanizzazione senza piombo ad alta temperatura per un periodo di tempo, al fine di eliminare il potenziale problema di crescita del Whisker della galvanizzazione; Condizione: 150 + / - 5 - c; 2 ore;


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Il processo di taglio del telaio di piombo di una fetta in singole unità (IC); Forma: modellare il prodotto IC dopo Trim, raggiungere la forma richiesta dal processo e metterlo nel tubo o vassoio;


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EOLⓠIspezione visiva finale

Ispezionare l'aspetto del prodotto sotto una lente di ingrandimento a bassa potenza.

5. concentrarsi sui potenziali prodotti di scarto dal processo EOL come difetti di stampaggio, difetti di placcatura, difetti di Trim/Form ecc.