IC基板 - チップ実装基板関連実装プロセスフロー

<エエム>IPCBコム to エXplain thエ チップパッケージングエ rエラットエ包装パッケージエSSフロー

パッケージ基板または中間層は、BGAパッケージの非常に重要な部分である。相互接続配線の他に、インピーダンス制御およびインダクタ／抵抗器／コンデンサ集積のために使用することもできる。したがって、基板材料は、高いガラス変換温度RS（約175～230℃）、高い寸法安定性、低吸湿性、および良好な電気的性能及び高い信頼性を有することが要求される。金属膜、絶縁層および基板媒体はまた、高い接着性能を有する。

ラインボンディングPBGAのパッケージングプロセス

1）BGA基板の作製

BT樹脂／ガラスコアプレートの両側には、エクセメチン（12〜18×1，000 m）の銅箔が積層された後、ドリル加工および貫通孔により金属化が行われる。従来のPCB＋3232技術を使用して、パターンは、半田ボールを取り付けるためのガイドテープ、電極、およびはんだ領域のアレイのような、基板の両側に作成される。それから、はんだマスクを加えて、電極とはんだ域を露出させるパターンをつくってください。製造効率を改善するために、単一の基板は通常、複数のPBG基板を含む。

プロセスフロー

ウエハの薄型化、チップボンディングおよびプラズマクリーニング-ワイヤボンディング-プラズマクリーニング-モールディングパッケージング-アセンブリはんだボール-リフローはんだ付け- ICチップの基板上のボンドに銀充填エポキシ接着剤との分離、最終検査とテストバケットパッケージングチップボンディングとの表面マーキング、最終的な検査とテスト。それから、チップおよびサブストレートは金ワイヤボンディング接続を使用することによって、実現される。183℃の融点を有する30 mil（0.75 mm）の直径を有する半田ボール62／36／2 Sn／Pb／Agまたは63／37／Sn／Pbをパッド上に特別に設計した吸引具で載置し、230℃以下の最高加工温度を有する従来のリフロー炉でリフローはんだ付けを行う。次いで、基板上にハンダ及び繊維粒子を除去するために、CFC無機クリーナを用いて基板を遠心分離し、マーキング、分離、最終検査、試験、及び倉庫を行う。

BGAパッケージ

2 C‐CBGAパッケージプロセス

（1）CBGA基板

FC - CBGAサブストリングエ は <エm>多層セラミック基板<エm>エ, 生産は終了エ 海千山千. BエCAUSエ thエ 配線dエ東工大理エ 部分文字列エ 高いです, thエ 間隔は狭い, thエ スルーホールエ 多いですか, とthエ コプレーナエクワールエmエNTSエ 部分文字列エ arエ 高いエr. メインプロックエss is : thエ ファーストマルチレイエアールCエラムチップハイエMPエラトルエ マルチレイへの同時焼成エアールCエラムミックエタリスエ三次元文字列エ, とthエnオンthエ 部分文字列エ マルチレイの生産エエムアールエタール配線, とthエn エlエめっき. インエ お尻エCBGAのmbly, thエ ミートマッチエTWエエn substratエ, チップとPCB回路基板エ 主な要因エsエ フェイルエ CBGA製品の. 促すエ この状況, thに加えてエ 米国エ CCGA構造エ, もエ アノードエアールCエラム文字列エ -ヒッチCエラム文字列エ.

プロセスフロー

ウエハバンプGRANチップフリップ及びリフローはんだ）の準備は、ゴランサーマルグリース、シーリングバケットはんだボールアセンブリの分布−リフローバケットマーキング＋分離グルー最終検査バケットテストバケットパッケージング。

ワイヤボンドTBGAのパッケージプロセスフロー

BGAキャリア

TbGaキャリアは、通常、ポリイミド材料で形成される。この製造において、キャリアベルトの両面は銅被覆され、次いでニッケルメッキ及び金めっきされ、その後パンチスルーホール及びスルーホールメタライゼーション及びグラフィックスが製造される。このリードボンドTBGAでは、パッケージのヒートシンクは、パッケージの追加固体であり、シェルのコアキャビティベースである。したがって、粘着テープをパッケージング前のヒートシンクに接合するためには、粘着剤を使用しなければならない。

包装工程フロー

薄型化-ウェーハ切断-チップボンディング-クリーニング-リードボンディング-プラズマ洗浄-液体シーラント充填-はんだボールアセンブリ-リフローはんだ付け-表面マーキング-分離-最終検査-テスト-パッケージ。