PCB-Technologie - Kennen Sie die Mängel der Platine Galvanik reines Zinn

Im Produktionsprozess von Leiterplatten, Die meisten Hersteller verwenden aufgrund von Kostenfaktoren immer noch Nassfilm-Imaging-Technologie, die zwangsläufig zu Problemen wie "Sickerung" führen, bright edges (thin tin)" and other undesirable problems when the graphics are electroplated with pure tin. Daher, Ich werde mit Ihnen die Lösungen für gängige Probleme der Reinverzinnung besprechen, die ich im Laufe der Jahre zusammengefasst habe. Unter ihnen, Der Galvanikprozess der Leiterplatte kann grob klassifiziert werden: Säure helle Kupfergalvanik, Nickel/Goldgalvanik, Galvanik und Zinn. Der Artikel stellt die Technologie und den Prozessablauf des Galvanikprozesses vor, und die spezifischen Operationsmethoden im PCB-Leiterplattenverarbeitungsprozess. Shenzhen Honglijie bietet professionelle PCBA, Leiterplatte, PCB-Design, SMT-Chipverarbeitung, OEM und OEM Materialien.

Prozessablauf:

Säure Beizen-Vollplattformkupfergalvanik-grafische Transfersäure Entfetten-sekundäres Gegenstromspülen-Mikroätzen-sekundäres Gegenstromspülen-Säure Beizen-Verzinnen-sekundäres Gegenstromspülen-Gegenstromspülen-Säure Beizen-grafische Kupferplattierung-zwei Grade Gegenstromspülen-Vernickeln-sekundäres Wasser waschen-Zitronensäure Eintauchen-Goldplattierung-Recycling-2-3 Reinwasserwaschtrocknung

2. Analyse der Ursache des "Versickerns" der nassen Filmplatte (Qualitätsproblem der nichtreinen Zinnlösung)

1. Die Kupferoberfläche, die vor dem Sieb gebürstet wird, muss sauber sein, um eine gute Haftung zwischen der Kupferoberfläche und dem nassen Ölfilm sicherzustellen.

2. Wenn die Nassfilmbelichtungsenergie zu niedrig ist, wird der Nassfilm unvollständig ausgehärtet, und der Widerstand gegen die Galvanisierung von reinem Zinn ist schlecht.

3. Die Parameter des Nassfilmvorbackens sind unzumutbar, und die lokale Temperatur des Ofens variiert stark. Da der thermische Aushärtungsprozess von lichtempfindlichen Materialien empfindlicher auf Temperatur ist, ist die thermische Aushärtung unvollständig, wenn die Temperatur niedrig ist, wodurch die Fähigkeit des nassen Films, der Galvanik reinem Zinn zu widerstehen, verringert wird.

4. Keine Nachbehandlung/Aushärtungsbehandlung reduziert den Widerstand zum Galvanisieren von reinem Zinn.

5. Die Platine aus dem galvanischen reinen Zinn muss gründlich mit Wasser gereinigt werden. Gleichzeitig muss jedes Brett in ein Gestell oder trockenes Brett gesteckt werden, und es ist nicht erlaubt, Bretter zu stapeln.

6. Probleme mit der Nassfilmqualität.

7. Produktions- und Speicherumgebung und Zeiteinfluss. Schlechte Lagerumgebung oder lange Lagerzeit quellen den nassen Film auf und verringern seine Beständigkeit gegen Galvanisierung von reinem Zinn.

8. Der nasse Film wird durch reines Zinnlichtmittel und andere organische Verschmutzung im Zinntank angegriffen und gelöst. Wenn die Anodenfläche des Zinnbehälters unzureichend ist, führt dies unweigerlich zu einer Abnahme der Stromeffizienz und der Sauerstoffentwicklung während des Galvanikprozesses (Galvanikprinzip: Anodensauerstoffentwicklung, Kathode Wasserstoffentwicklung). Ist die Stromdichte zu hoch und der Schwefelsäuregehalt zu hoch, entsteht Wasserstoff aus der Kathode, der den nassen Film angreift und Zinn-Permeation verursacht (sogenannte "Permeation").

9. Hohe Konzentration der Stripping-Lösung (Natriumhydroxidlösung), hohe Temperatur oder lange Eintauchzeit führen zu Zinnfluss oder -auflösung (sog. "Dialyse").

10. Die Stromdichte der reinen Verzinnung ist zu groß. Im Allgemeinen ist die beste Stromdichte der nassen Filmqualität für 1.0~2.0A/dm2 passend.

3. Die Ursache des "Versickerns" verursacht durch das Trankproblem und seine Verbesserungsgegenmaßnahmen

1. Grund:

Das Problem des Tranks bewirkt, dass das "Eintauchen" auftritt, hängt hauptsächlich von der reinen Zinn Aufheller Formulierung ab. Das Lichtmittel hat eine starke Durchdringungsfähigkeit und der Angriff auf den nassen Film während des Galvanisierungsprozesses führt zu einer "Dialyse". Das heißt, wenn der reine Zinn Aufheller zu viel zugesetzt wird oder der Strom etwas zu groß ist, tritt "Eintauchen" auf. Unter normalem Strombetrieb steht das erzeugte "Eintauchen" in Zusammenhang mit den unkontrollierten Betriebsbedingungen der Lösung, wie zu viel reinem Zinn Aufheller, Der Strom ist zu groß, der Stangensulfat- oder Schwefelsäuregehalt ist zu hoch usw., was alle den Angriff auf den nassen Film beschleunigen wird.

2. PCB-Design, Verbesserungsmaßnahmen:

Die Leistung der meisten reinen Zinn-Aufheller bestimmt, dass sie unter Einwirkung von elektrischem Strom aggressiver gegen nassen Film sind. Um das "Versickern" von nassfilmbeschichtetem reinem Blech zu vermeiden, wird empfohlen, nassfilmbeschichtetes reines Blech herzustellen. Drei Punkte:

1.Wenn Sie reinen Zinn-Aufheller hinzufügen, muss es in einer kleinen Menge und mehrfach überwacht werden. Der Gehalt an reinem Zinn-Aufheller in der Plattierungslösung wird normalerweise an der unteren Grenze kontrolliert;

2.Die Stromdichte wird innerhalb des zulässigen Bereichs gesteuert;

3.Die Kontrolle der Zusammensetzung des Sirups, wie Stangensulfat- und Schwefelsäuregehalt an der unteren Grenze, wird auch zur Verbesserung der "Dialyse" von Vorteil sein.